拋棄機械硬盤：只有這樣SSD才會停止漲價

機械硬盤由于本身的物理架構問題，導致其體積重、不抗震、讀寫慢、響應速度低等弊端，成為PC性能發展的一大瓶頸。相比較而言，NAND閃存的體積小、更抗震、數據讀取速度快，數據存儲也更為安全。

不過，早期的閃存由于原材料較貴，單位容量比硬盤更貴。隨著像三星等上游Flash廠商技術不斷突破，如今，閃存的價格正在快速下降，同時其制程也在不斷提高。不久的將來，閃存的價格將與普通硬盤處在同一級別，屆時閃存將取代硬盤成為常規存儲。

但是正在大家期盼SSD價格一路下滑時，它卻觸底反彈。據ChinaFlashMarket報價統計，自2016年5月下旬SSD漲價以來，120GB TLC SSD價格已從25美元上漲至37美元，漲幅達48%；240GBTLC SSD價格已從44美元上漲至66美元，漲幅高達50%。

價格暴漲的SSD直接導致固態硬盤推進速度變緩，原本在2016年預估滲透率從40%-50%下調到35%，用戶購買大容量SSD意愿也大幅降低。那么究竟是什么原因導致SSD價格上漲呢？原因有兩方面。

過渡到3D NAND技術后良率不高

固態硬盤絕大部分成本來自于NAND Flash，為此上游NAND廠商就通過升級NAND Flash來降低成本。其中三星是最早成功量產3D NAND的廠商，隨后Intel、美光、東芝等廠商也開始全力調撥2D NAND Flash產能轉進3D NAND，但由于3D NAND生產良率不如預期，2D NAND供給量又因產能排擠縮小，NAND Flash市場出現貨源不足問題，價格也因此明顯上漲。

何為3D NAND Flash？

從技術結構上講，3D NAND通過立體堆疊的方式使單位面積承載更大的存儲容量，2D NAND好比是平房，3D NAND則是高樓，建筑面積成倍提升，理論上可以無限堆疊。

目前2D NAND工藝逼近物理極限，單位面積存儲容量難以繼續提升。3D NAND解決了由于晶圓物理極限而無法進一步擴大單die可用容量的限制，進一步推動了存儲顆粒總體容量的飆升。

移動設備對Flash需求增加

隨著移動互聯網的發展，用戶對智能手機等移動設備需求與日俱增。每年的Q3季度都是智能機銷售旺季，加上2016年的iPhone新品最低容量從32GB起跳，最高提升至256GB，同時帶動了其他智能機品牌的跟進，大容量智能手機刮起了一陣旋風，加劇了NANDFlash供應端的壓力。

綜上所述，NAND Flash市場缺貨主要是因為上游廠商向3D技術轉換導致2D NAND Flash產出減少，加上智能移動設備需求增長，更是雪上加霜。不過近一年上游廠商產能調整過渡期，在2017年下半年有望出現緩和跡象。一方面三星順利過渡到64層3D NAND技術，東芝也開始在下半年大規模量產3D NAND Flash，屆時市場供貨緊缺的市況將有望得到緩解。